Vicerrectoría de Investigación y Estudios de Posgrado
Posgrado/Programas de Posgrado/Doctorado en Dispositivos Semiconductores

Dirección General de Estudios de Posgrado

Programas de Posgrado

Doctorado en Dispositivos Semiconductores

Este programa pertenece al PNPC de CONACYT
Nivel PNPC: Consolidado

Coordinación de Posgrado:

Instituto de Ciencias
Coordinador: Dra. Blanca Susana Soto Cruz
E-mail Coordinador: pdscoordinacion@gmail.com
Dirección: Av. San Claudio y 14 Sur C. U. Edif. IC-5, Col. San Manuel. Puebla, Pue. C.P. 72570
Teléfono: 01 (222) 229 5500 ext. 7738
Fax: 01 (222) 229 5500 ext. 7738
E-mail: pdscoordinacion@gmail.com
Web: http://posgradosemiconductores.com.mx/

Información del Programa:

Orientación: Investigación
Duración: 4 Años
Periodo Escolar: Semestral
Materias: 10
Créditos: 72
Inicio de Periodo escolar: Enero y Agosto
Año de creación: 2006

Costos:

Inscripción Anual: $ 0.00
Pago semestral a la DAE: $100.00 MN

Objetivo:

Formar investigadores profesionales de alto nivel académico y sentido social, capaces de desempeñar un papel de calidad en el proceso de captación, adaptación, creación y aplicación del conocimiento teórico-práctico sobre materiales semiconductores avanzados, desarrollo de dispositivos, caracterización de materiales y dispositivos semiconductores y el diseño de circuitos integrado.


Objetivos Particulares:

Formar investigadores profesionales que:

·           Comprendan la ciencia básica de los materiales y dispositivos semiconductores avanzados.

·           Desarrollen investigación de frontera sea teórica o experimental de alto nivel que genere conocimiento en el tema.

·           Vincule el conocimiento adquirido para la solución de problemas relacionados con el sector productivo, social y/o educativo.

·           Genere propuestas innovadoras y tome decisiones que lo lleven a innovar en el diseño, desarrollo y aplicación de dispositivos semiconductores opto-electrónicos, fotónicos, de conversión de energía y en sistemas con circuitos integrados.


Requisitos:

Generales

1.- Carta compromiso de ser estudiante de tiempo completo en el programa de doctorado. Se entiende por estudiante de tiempo completo, aquél cuyo tiempo mínimo de dedicación presencial sea de cuarenta horas por semana.

2.-Presentar solicitud de ingreso exponiendo los motivos de incorporación al Posgrado.

3.-Presentar Currículum Vitae.

4. Para el caso de estudiantes que provengan de programas de posgrado afines, podría requerir hacer una revalidación de su programa de estudios.

4.-Cumplir con los requisitos que exige la Universidad.

5.- 2 Cartas de recomendación de su(s) asesores o profesores de maestría.

 

Académicos

1.      Grado de Maestría en Dispositivos Semiconductores o áreas relacionadas.

2.      Promedio mínimo de 8.0 en los estudios de Maestría.

3.      Presentar el preproyecto de tesis ante la Comisión de admisión del Posgrado convocada ex profeso para su evaluación.

4.      Presentar un examen de admisión que decida el Comité Académico junto con la Academia.

5.      Nivel del dominio del idioma inglés 450 TOEFL (o equivalente).


Requisitos de Egreso:

1.-Poseer el título de Maestría y la cédula profesional.

2.- Concluir el plan de estudios del programa de Doctorado.

3.- Tener la candidatura a doctor 

4.- Tener un promedio global mínimo de 8.0.

5.-Para el caso de haber obtenido la candidatura por exámenes generales, tener publicado al menos, un artículo en una revista internacional, relacionado con el tema de tesis

6.-  Para el caso de haber obtenido la candidatura por promedio de cursos según inciso (c), tener al menos, dos artículos publicados, en una revista internacional, y al menos 2 presentaciones en foros nacionales e internacionales. Todo lo anterior, con trabajo relacionado con el tema de su tesis.

7.-Presentar un coloquio de tesis ante un jurado con al menos 5 días hábiles previos a la presentación del examen de Grado. Para los tiempos de revisión refiérase al Reglamento General

8.- Aprobar el examen de grado ante un jurado designado por el Comité Académico del Posgrado.

9.-Constancia de no adeudo de equipo y herramientas de los laboratorios y del taller del CIDS.

10.- Cubrir los requisitos administrativos establecidos por la Universidad.


Planta Docente:

Tiempo Completo

• Estela Gómez Barojas
• Héctor Juárez Santiesteban
• Godofredo García Salgado
• José Francisco Javier Flores Gracia
• Jesús Carrillo López
• Salvador Alcántara Iniesta
• José Guillermo Pérez Luna
• Javier Martínez Juárez
• Reina Galeazzi Izasmendi
• Crisóforo Morales Ruíz
• Enrique Rosendo Andrés
• Blanca Susana Soto Cruz
• Tomás Francisco Díaz Becerril
• José Luis Sosa Sánchez
• José Álvaro David Hernández de la Luz
• Karim Monfil Leyva
• Mauricio Pacio Castillo
• José Joaquín Alvarado Pulido
• José Alberto Luna López
• Roman Romano Trujillo


Plan de Estudios:

1° Semestre

• Seminario de Investigación
• Curso Obligatorio I

2° Semestre

• Proyecto de Laboratorio I
• Optativa I
• Curso Obligatorio II

3° Semestre

• Proyecto de Laboratorio II
• Optativa II

4° Semestre

• Proyecto de Laboratorio III

5° Semestre

• Proyecto de Laboratorio IV

6° Semestre

• Proyecto de Laboratorio V

7° Semestre

• Actividades Académicas Relacionadas con la Conclusión del Trabajo de Tesis

8° Semestre

• Actividades Académicas Relacionadas con la Conclusión del Trabajo de Tesis


Cursos Optativos

• Celdas Solares
• Luminiscencia de Semiconductores
• Diseño de Circuitos Integrados MOS
• Difracción de Rayos X
• Obtención y Caracterización de Óxidos Conductores Tranparentes
• Introducción a la Química de Coloides
• Caracterización Óptica de Materiales
• Depósito de Películas Dieléctricas a Bajas Temperaturas
• Heteroestructuras Semiconductoras
• Física Avanzada de Semiconductores
• Celdas Solares de Silicio con Materiales Nanoestructurados
• Propiedades Ópticas y Espectroscopias de Nanomateriales
• Propiedades y Aplicaciones del Silicio Poroso
• Electroluminiscencia en Nanoestructuras Semiconductoras
• Espectroscopía de Películas Delgadas
• Física del MOS con Óxidos Nanoestructurados
• Sensores de Estado Sólido
• Microscopia de Películas Delgadas
• Análisis de Superficies Mediante Espectroscopías por Haz de Electrones
• Introducción a la Mecánica Cuántica
• Diseño Asistido por Computadora de Circuitos Integrados VLSI
• Dispositivos Microelectromecánicos MEMS
• Tópicos de Estado Sólido
• Estructuras Nanométricas de Semiconductores
• Defectos en Silicio
• Sensores Microelectromecánicos de Silicio
• Tópicos sobre Procesos de Conducción Eléctrica en Semiconductores Orgánicos
• Caracterización Eléctrica de Dieléctricos y Semiconductores
• Semiconductores Orgánicos
• Rocío Pirolítico
• Introducción a la Nanoelectrónica
• Física de Dispositivos Optoelectrónicos
• Crecimiento de Semiconductores Compuestos III-V por Epitaxia en Fase Líquida
• Caracterización Luminicente de Materiales Semiconductores
• Rayos X de Alta Resolución
• Conversión Termoiónica
• Conversión Termoeléctrica
• Diseño de Prototipos de Medición y Control
• BIOMEMS
• Propiedades Optoelectrónicas de las Ftalocianinas
• Física de Semiconductores
• Física de Dispositivos Semiconductores
• Ciencia y Tecnología de Semiconductores



Líneas de Investigación:

  1. Obtención y Caracterización de Materiales Semiconductores y Materiales Avanzados
  2. Diseño, desarrollo y caracterización de dispositivos semiconductores.
  3. Modelación y simulación de materiales, dispositivos semiconductores y circuitos integrados.
  4. Desarrollo de materiales y dispositivos para aplicaciones a energías renovables.
  5. Desarrollo de sensores de estado sólido con aplicaciones múltiples incluyendo el medio ambiente.

Perfil de Ingreso:

Los aspirantes a ingresar al programa de Doctorado deberán tener el siguiente perfil:

1.- Ser egresado de algún programa de Maestría, en las áreas de Ciencias Naturales, Exactas, Ingeniería y Tecnología. Preferentemente en: Dispositivos Semiconductores, Físico-matemáticas, Química, Electrónica, Computación, Ciencia de Materiales, Energías Alternativas y Posgrados a consideración del Comité Académico.

2.- Contar con conocimientos previos de: Matemáticas superiores, Física General, Electrónica, Inglés

3.- Tener Vocación hacia la Investigación Teórico-Experimental, disciplina y compromiso en el trabajo.


Perfil de Egreso:

Los estudiantes egresados deberán tener un perfil que contemple las siguientes competencias, conocimientos, actitudes y valores:

1. Contar con los conocimientos generales de las líneas de investigación relacionadas con el área de Materiales y Dispositivos Semiconductores.

2. Estar capacitado para generar y desarrollar investigación de alto nivel de esta área del conocimiento.

3. Participar en las actividades de difusión y divulgación científica y tecnológica.

4.  Contar con la formación apropiada para que pueda aplicar sus conocimientos en los sectores de producción, consultoría y/o docencia

5. Deberá contar con las siguientes competencias:

•          Capacidad de comunicación científica oral y escrita clara y precisa.

•          Manejo de equipo científico en su área de formación

•          Vincular investigaciones y generar propuestas innovadoras a la solución de problemas científico - tecnológicos.

•          Argumentar críticamente.

•          Planificar, actuar, monitorear y evaluar el trabajo a desarrollar (ej. proyectos, estancias, avances de tesis, artículos, congresos, etc).

•          Trabajar interdisciplinariamente.

•          Aprendizaje continuo

6. Que el estudiante cuente con las siguientes actitudes y valores:

•          Profesionalismo

•          Autonomía

•          Responsabilidad

•          Autocrítica

•          Ética

•          Honestidad

•          Iniciativa.

•          Participativo

•          Solidario

•          Respetuoso con el medio ambiente y la sociedad


Información Adicional:

Debido a la orientación del programa, la única forma de titulación es mediante la elaboración y defensa de un trabajo de tesis.


Estudiantes Matriculados

2009 - 4
2010 - 5
2011 - 8
2012 - 6
2013 - 4
2014 - 13

Noticias
Se llevó a cabo el Cuarto Concurso Estudiantil de Prototipos de Innovación Tecnológica.
Investigadores del DICA de la BUAP proponen programas y acciones de recuperación del suelo.
En 2013 se detectaron 5 mil 405 y 3 mil 771 defunciones, respectivamente, en el país.
Exposiciones de robótica, teatro, grupos musicales, concurso de oratoria y cuadrangulares de básquetbol y fútbol.
Se premiaron a los mejores equipos en ocho categorías y se entregaron acreditaciones a los trabajos con mayor impacto social y comercial.
Concluyó el Taller Taxonomía de Encinos Raros en México, organizado por el Jardín Botánico de la BUAP, el cual reunió a expertos de México y Estados Unidos.
Participan 69 equipos integrados por 185 estudiantes de la BUAP y de otras universidades del país.
Se llevará a cabo del 20 al 22 de septiembre, en el Complejo Cultural Universitario.
Nuestro país es el hogar de más especies en el mundo.
Con estas tecnologías respaldan los métodos de enseñanza en las escuelas. Además, mejoran la navegación en espacios virtuales.
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