Vicerrectoría de Investigación y Estudios de Posgrado
Posgrado/Programas de Posgrado/Maestría en Dispositivos Semiconductores

Dirección General de Estudios de Posgrado

Programas de Posgrado

Maestría en Dispositivos Semiconductores

Este programa pertenece al PNPC de CONACYT
Nivel PNPC: Consolidado

Coordinación de Posgrado:

Instituto de Ciencias
Coordinador: Dr. Javier Martínez Juárez
E-mail Coordinador: coordinacion.pds@correo.buap.mx
Dirección: Av. San Claudio y 14 Sur C. U. Edif. IC-5 Col. San Manuel. Puebla, Pue. C.P. 72570
Teléfono: 01 (222) 229 5500 ext. 7738
Fax: 01 (222) 229 5500 ext. 7738
E-mail: coordinacion.pds@correo.buap.mx

Información del Programa:

Orientación: Investigación
Duración: 2 Años
Periodo Escolar: Semestral
Materias: 12
Créditos: 90
Inicio de Periodo escolar: Marzo (Anual)
Año de creación: 1986

Costos:

Inscripción Anual: $0.00

Pago semestral a la DAE: $100.00 MN


Objetivo:

Formar recursos humanos de alto nivel académico capaces de desempeñar un papel significativo en la creación y aplicación del conocimiento teórico-práctico para coadyuvar a la solución de problemas locales, regionales, nacionales e internacionales. Lo anterior, preferentemente en las áreas de energías renovables y mejora del medio ambiente mediante el desarrollo de materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados.


Objetivos Particulares:

Formar recursos humanos que:
 
  1. Comprendan la ciencia básica de los materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados con una perspectiva de aplicación preferentemente en las áreas de energías renovables y mejora del medio ambiente.
  2. Desarrollen investigación teórico-experimental y generen conocimiento de punta en alguna de las líneas de generación y aplicación del conocimiento del programa.
  3. Vinculen el conocimiento adquirido para la solución de problemas relacionados con el sector productivo, social y/o educativo.
  4. Generen propuestas innovadoras y toma de decisiones en el diseño, desarrollo y aplicación de materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados.
  5. Cuenten con una formación integral incluyendo valores y actitudes para incorporarse en programas de doctorado nacional o internacional de alta calidad.

Requisitos:

El primer paso para ingresar a nuestro posgrado es llenar este formato http://bit.ly/FormularioIngresoPDS. Toma nota tanto en tener escaneados (con buena calidad y a color) como en cumplir con el formato que se solicita -PDF o JPG- de todos los siguientes documentos:

1. Cédula y título o acta de examen de licenciatura (en formato JPG)

2. Comprobante de tener un promedio mínimo de 8.0 en los estudios de licenciatura (en formato PDF)

3. Certificado de dominio del idioma inglés con 400 puntos en TOEFL -o equivalente- (en formato PDF) 

4. Documento de resultado del examen de admisión EXANI III, en donde el puntaje mínimo obtenido es de 1000 puntos (en formato PDF)

5. Dos cartas de recomendación de profesores o asesores externos al posgrado (en formato PDF)

6. Carta firmada, de texto libre, expresando los motivos para ingresar al doctorado (en formato PDF)

7. Imprimir, llenar y firmar la carta compromiso de ser estudiante de tiempo completo en el programa de doctorado; descárgala en http://bit.ly/CartaCompromisoPDS  (en formato PDF)

8. Presentar Currículum vitae único (CVU); Regístrate e imprímelo aquí: http://bit.ly/imprimeCVU

9. Acta de nacimiento -formato nuevo- (en formato JPG)

10. CURP formato actual -o equivalente en caso de extranjeros- (en formato JPG)

11. Solicitud para revalidar estudios en el caso de los estudiantes que provengan de programas de posgrado afines -sólo en el caso de ser pertinente- (en PDF)

*Presta especial atención en el formato en que cada documento es solicitado PDF o JPG.


Requisitos de Egreso:

  1. Poseer el título de licenciatura y cédula profesional

  2. Concluir el plan de estudios del programa de Maestría

  3. Obtener un promedio global mínimo de 8.0 en el programa de Maestría

  4. Presentar el certificado de al menos 450 puntos del idioma inglés de TOEFL o equivalente

  5. Constancia de no adeudo de equipo y herramientas de los laboratorios y del taller del CIDS

  6. Cubrir los requisitos administrativos establecidos por la Universidad

  7. Obtener el grado de maestría de acuerdo a los tiempos establecidos por el CONACYT, conforme a los siguientes lineamientos:

    1. Entregar la tesis impresa a los miembros del jurado propuesto por los asesores y avalado por la Coordinación del Posgrado con al menos 10 días hábiles de anticipación a su fecha de presentación del coloquio.

    2. Presentar un coloquio con al menos 10  días hábiles previos a la presentación del examen de grado.

    3. Aprobar el examen de grado.

  8. El estudiante podrá obtener algunas de las siguientes distinciones académicas de acuerdo al reglamento del posgrado:

    1. Ad Honorem

    2. Cum Laude


Planta Docente:

Tiempo Completo

• Estela Gómez Barojas
• Blanca Susana Soto Cruz
• Víctor Dossetti Romero
• Salvador Alcántara Iniesta
• Miguel Ángel Domínguez Jiménez
• Román Romano Trujillo
• Mauricio Pacio Castillo
• Karim Monfil Leyva
• Jesús Carrillo López
• José Alberto Luna López
• José Joaquín Alvarado Pulido
• José Luis Sosa Sánchez
• José Álvaro David Hernández de la Luz
• Javier Martínez Juárez
• Héctor Juárez Santiesteban
• Godofredo García Salgado
• Crisóforo Morales Ruíz
• Enrique Rosendo Andrés
• Antonio Coyopol Solís
• María Josefina Robles Águila
• Reina Galeazzi Isasmendi
• José Juan Martín Mozo Vargas


Plan de Estudios:

1° Semestre

• Física de Semiconductores
• Físico-Química del Estado Sólido
• Métodos Matemáticos
• Curso Formativo I

2° Semestre

• Tecnología de Semiconductores
• Física de Dispositivos Semiconductores
• Curso Formativo III
• Curso Formativo II

3° Semestre

• Optativa I
• Seminario de Tesis I

4° Semestre

• Optativa II
• Seminario de Tesis II


Cursos Optativos

• Luminiscencia de Semiconductores
• Celdas Solares
• Diseño de Circuitos Integrados MOS
• Difracción de Rayos X
• Obtención y Caracterización de Óxidos Conductores Tranparentes
• Introducción a la Química de Coloides
• Caracterización Óptica de Materiales
• Depósito de Películas Dieléctricas a Bajas Temperaturas
• Heteroestructuras Semiconductoras
• Física Avanzada de Semiconductores
• Celdas Solares de Silicio con Materiales Nanoestructurados
• Propiedades Ópticas y Espectroscopias de Nanomateriales
• Propiedades y Aplicaciones del Silicio Poroso
• Electroluminiscencia en Nanoestructuras Semiconductoras
• Espectroscopía de Películas Delgadas
• Física del MOS con Óxidos Nanoestructurados
• Sensores de Estado Sólido
• Microscopia de Películas Delgadas
• Análisis de Superficies Mediante Espectroscopías por Haz de Electrones
• Introducción a la Mecánica Cuántica
• Diseño Asistido por Computadora de Circuitos Integrados VLSI
• Dispositivos Microelectromecánicos MEMS
• Tópicos de Estado Sólido
• Estructuras Nanométricas de Semiconductores
• Defectos en Silicio
• Sensores Microelectromecánicos de Silicio
• Tópicos sobre Procesos de Conducción Eléctrica en Semiconductores Orgánicos
• Caracterización Eléctrica de Dieléctricos y Semiconductores
• Semiconductores Orgánicos
• Rocío Pirolítico
• Introducción a la Nanoelectrónica
• Física de Dieléctricos
• Física de Dispositivos Optoelectrónicos
• Crecimiento de Semiconductores Compuestos III-V por Epitaxia en Fase Líquida
• Caracterización Luminicente de Materiales Semiconductores
• Rayos X de Alta Resolución
• Conversión Termoiónica
• Conversión Termoeléctrica
• Diseño de Prototipos de Medición y Control
• BIOMEMS
• Propiedades Optoelectrónicas de las Ftalocianinas


Cursos Formativos I

Nivel Formativo

• Instrumentación Electrónica



Líneas de Investigación:

  1. Obtención y caracterización de materiales semiconductores orgánicos e inorgánicos, micro y nano estructurados
  2. Diseño, desarrollo y caracterización de dispositivos semiconductores para aplicaciones en energías renovables y medio ambiente
  3. Modelación, simulación de materiales, desarrollo de procesos y circuitos integrados

Perfil de Ingreso:

Los aspirantes a ingresar al programa de doctorado deberán tener el siguiente perfil:

1. Tener vocación hacia la investigación teórico-experimental

2. Tener disciplina en el trabajo

3. Tener actitud de superación académica, responsabilidad y disponibilidad de tiempo para las actividades que se desarrollen durante su estancia de estudios en el posgrado

4. Ser egresado de algún programa de nivel superior, en las áreas de ciencias naturales y exactas o de ingeniería y tecnología; preferentemente de ciencias físico-matemáticas, ciencias químicas, materiales, ciencias ambientales, electrónica, mecatrónica, energías renovables, automotriz, ciencias de la electrónica, ciencias de la computación, ingeniería mecánica y eléctrica, ingeniería electrónica, química, industrial y demás áreas afines

5. Contar con conocimientos generales en matemáticas superiores, física general, electrónica básica o química básica


Perfil de Egreso:

1. El egresado tendrá capacidad para proponer, desarrollar y resolver problemas de investigación científica y tecnológica en materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados, así como en el modelado, simulación, desarrollo de procesos y circuitos integrados, a través de la aplicación del método científico.

2. Será capaz de desarrollarse en las áreas de investigación propias de su formación tanto en el sector público como en el privado y, en su caso, tendrá la capacidad de formar recursos humanos a través de la docencia en su área de conocimiento.

3. Deberá contar con los conocimientos necesarios para poder ingresar como estudiante a un programa de doctorado afín.

4. Además deberá contar con las siguientes habilidades:

a. Comunicación científica oral y escrita clara y precisa

b. Manejo de equipo científico en su área de formación

c. Vincular investigaciones y generar propuestas innovadoras a la solución de problemas científico - tecnológicos

d. Argumentar críticamente

e. Planificar, actuar, monitorear y evaluar el trabajo a desarrollar (ej. proyectos, estancias, avances de tesis, artículos, congresos, etc)

f. Trabajar interdisciplinariamente

5. Así también, con las siguientes actitudes:

a. Autónomo

b. Responsable

c. Autocrítico

d. Ético

e. Honesto

f. Emprendedor

g. Participativo

h. Aprendizaje continuo

i. Deberá desarrollarse íntegramente dentro de los principios de solidaridad, respeto a la dignidad humana y cuidado del medio ambiente, contribuyendo así a elevar el nivel y la calidad de vida de la sociedad


Información Adicional:

Debido a que la orientación del programa es de Investigación, la única forma de titulación es mediante la elaboración y defensa de un trabajo de tesis.

Convocatoria: Información Aquí

Sistema Interno para el Fortalecimiento de los Posgrados: Información Aquí

Protocolo para la Prevención y Atención de la Discriminación y Violencia de Género: Información Aquí


Tutorías:

Tesis Dirigidas:

Productividad Académica:

Vinculación con otros sectores de la sociedad:

Estudiantes Matriculados

2010 - 10
2011 - 7
2012 - 3

Noticias
La propuesta se ha probado en cáncer de mama y cervicouterino, la primera y segunda causa de muerte por neoplasias malignas en la mujer.
El Rector Alfonso Esparza Ortiz firmó la revisión contractual con ASPABUAP y SITBUAP
El programa se puede consultar en https://mujeres.buap.mx/ , incluye alrededor de 50 actividades y la participación de destacadas académicas de México, Argentina, España e Italia
El Rector Alfonso Esparza reconoció este proyecto de especialistas en robótica y electrónica de la Universidad
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